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DMN2058UW-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.5A
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2058UW-7
- 商品编号
- C2760648
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.7mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 281pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
- 最新沟槽功率AlphaMOS（αMOS LV）技术
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
- 绿色产品
应用领域
- 高性能或门、电子保险丝
- 超高电流电池充放电