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DMN62D1LFB-7B实物图
  • DMN62D1LFB-7B商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN62D1LFB-7B

N沟道,电流:407mA,耐压:60V

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN62D1LFB-7B
商品编号
C2760650
商品封装
X1-DFN1006-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.008克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)407mA
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@2.5V
耗散功率(Pd)500mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)900pC@4.5V
输入电容(Ciss)64pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)9pF

商品特性

  • 高速开关
  • 小栅极电荷:QSW = 19 nC(典型值)
  • 小输出电荷:Qoss = 51 nC(典型值)
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
  • 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值),VDS = 60 V
  • 增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)

应用领域

  • 高效 DC-DC 转换器
  • 开关稳压器
  • 电机驱动器

数据手册PDF