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DMN53D0L-7
1个N沟道 耐压:50V 电流:500mA
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN53D0L-7
- 商品编号
- C2760644
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SVDZ24NT是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用矽力杰全新平面VDMOS工艺制造。经过改进的平面条形单元和优化的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于电子镇流器和低功率开关电源。
商品特性
- N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中引用),具备高可靠性
- 符合汽车标准的产品型号(DMN53D0LQ)单独提供数据手册
应用领域
- 电气镇流器
- 低功率开关电源