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IAUAN04S7N008AUMA1
N沟道 耐压:40V 电流:290A
- 描述
- 特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUAN04S7N008AUMA1
- 商品编号
- C27029419
- 商品封装
- HSOF-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 290A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 133W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@60uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.15nF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装
- 无铅电镀；符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 可焊侧翼
应用领域
- 高级驾驶辅助系统(ADAS)/信息娱乐系统/照明系统/车身系统