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IMWH170R1K0M1XKSA1
碳化硅沟槽MOSFET，适用于反激拓扑，低开关损耗，可控制dv/dt以优化EMI，具备XT互连技术
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- 商品编号
- C27031242
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω |
商品特性
- 漏源击穿电压 V_DSS = 1700 V，结温 T_vj = 25°C
- 连续漏极电流 I_DDC = 5.4 A，外壳温度 T_C = 25°C
- 导通电阻 R_DS(on) = 1000 mΩ，栅源电压 V_GS = 12 V，结温 T_vj = 25°C
- 针对反激拓扑优化设计
- 栅源电压兼容 12 V / 0 V，与多数反激控制器兼容
- 开关损耗极低
- 基准栅极阈值电压 V_GS(th) = 4.5 V
- 完全可控的 dv/dt，便于电磁干扰优化
- XT 互连技术，提供良好的热性能
应用领域
- 通用驱动器
- 电动汽车充电
- 储能系统
- 组串式逆变器
- 不间断电源