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ISCH42N04LM7ATMA1
N沟道 40V 541A
- 描述
- 特性：N- 沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISCH42N04LM7ATMA1
- 商品编号
- C27031664
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 541A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.39mΩ@10V；0.48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@4.5V；156nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.6nF |
商品概述
G080N06K采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器
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