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IMBG65R050M2HXTMA1
650V CoolSiC MOSFET G2
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- 描述
- 基于第二代碳化硅沟槽技术，650 V MOSFET 提供卓越的性能、高可靠性和易用性。它实现了具有成本效益、高效且简化的设计，以满足不断增长的系统和市场需求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R050M2HXTMA1
- 商品编号
- C27031194
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 耗散功率(Pd) | 172W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 59pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ |