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JCS4N60RB
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 品牌名称
- 吉林华微
- 商品型号
- JCS4N60RB
- 商品编号
- C2693244
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 124pF |
商品概述
该器件专为蜂窝手机及其他超便携式应用中的双开关需求设计，采用单封装解决方案。它具有两个独立的N沟道MOSFET，导通电阻低，可将传导损耗降至最低。MicroFET 2x2在其物理尺寸下具备出色的热性能，非常适合线性模式应用。
商品特性
- 2.9 A、30 V，栅源电压（VGS）= 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 123 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 3.0 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 140 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 163 mΩ
- 新型MicroFET 2x2 mm封装，高度低至最大0.8 mm
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 = 1.8 kV
- 符合RoHS标准
- 不含卤化化合物和氧化锑
应用领域
- 蜂窝手机
- 其他超便携式应用
- 线性模式应用