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IMW65R020M2HXKSA1
基于碳化硅沟槽技术的650V MOSFET，具备超低开关损耗和稳健体二极管操作，适用于多种电源应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMW65R020M2HXKSA1
- 商品编号
- C26312818
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 273W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.038nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 197pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ |