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IQFH55N04NM6ATMA1
适用于低电压驱动、电池供电和同步应用的N沟道MOSFET功率晶体管，具有低导通电阻、高雪崩耐量和良好热阻，无铅且符合RoHS和无卤标准
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQFH55N04NM6ATMA1
- 商品编号
- C26313186
- 商品封装
- PG-TSON-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 451A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.45mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.65nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 针对低电压驱动应用进行优化
- 针对电池供电应用进行优化
- 针对同步应用进行优化
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 卓越的热阻
- N沟道
- 无铅引脚镀层，符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
- 额定温度为175℃