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IPP60R016CM8XKSA1
N沟道 600V 135A
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- 描述
- 8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗，使开关应用更加高效。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R016CM8XKSA1
- 商品编号
- C26312899
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.545nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 凭借出色的换向鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
- 显著降低开关损耗和传导损耗
- 超低的 RDS(on)^*A 实现了每封装产品的业界最佳 RDS(on)
应用领域
- 电源和转换器
- 功率因数校正(PFC)级和LLC谐振转换器
- 高效开关应用
- 服务器
- 电信
- 电动汽车充电
- 不间断电源(UPS)
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