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HD7N50E(BHB)
1个N沟道 耐压:530V 电流:7A
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- 描述
- 特性：快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。 增强的ESD保护。应用：开关电源 (SMPS)。 不间断电源 (UPS)
- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD7N50E(BHB)
- 商品编号
- C2688937
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.442克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 530V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
该器件是一款采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款革命性的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为苛刻的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用