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HD1H15A(AEE)

N沟道,电流:15A,耐压:100V

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品牌名称: HL(豪林)
商品型号: HD1H15A(AEE)
商品编号: C2688960
商品封装: TO-252-2
包装方式: 编带
商品毛重: 0.444克(g)

商品参数

商品概述

全新的MDmesh™ M6技术融合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。意法半导体（STMicroelectronics）通过其新的M6技术在MDmesh上一代器件的基础上进行了升级，该技术将出色的单位面积导通态漏源电阻（RDS(on)）改进与高效的开关性能相结合，同时为终端应用提供最大效率的用户友好体验。

商品特性

VDS = 100 V; ID = 15 A
RDS(ON)< 140 m Ω@ VGS=10 V (典型值:90 m Ω )
超低导通电阻
高单脉冲雪崩耐量(UIS)且UIS 100% 测试

应用领域

-电源开关应用-LED背光

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	140mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	45W
	阈值电压(Vgs(th))	3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	13.4nC@10V
	输入电容(Ciss)	690pF
	反向传输电容(Crss)	30pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	44pF