温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HD50N06D(AHI)
N沟道,电流:50A,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD50N06D(AHI)
- 商品编号
- C2688941
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.434426克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,15A | |
| 功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.27nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr)，同时导通电阻 RDS(on) 较低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用