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HD50N06D(AHI)
N沟道,电流:50A,耐压:60V
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD50N06D(AHI)
- 商品编号
- C2688941
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.434426克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 780pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr)，同时导通电阻 RDS(on) 较低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器的理想选择。
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:40 nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON):0.015 Ω(典型值)@VGS = 10V
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
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