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SPW35N60C3
N沟道,电流:34.6A,耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPW35N60C3
- 商品编号
- C2688878
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 313W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@1.9mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
全新MDmesh™ M6技术融合了对知名且成熟的MDmesh超结（SJ）MOSFET系列的最新改进。它将出色的导通电阻RDS(on)与面积优化，与高效的开关性能相结合，为终端应用提供了极高的效率和便捷的用户体验。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比，降低导通电阻RDS(on)与面积的乘积
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用