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HD5N50(BEO)
N沟道,电流:5.0A,耐压:520V
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD5N50(BEO)
- 商品编号
- C2688920
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 520V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.55Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 111pF |
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 稳固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:15.5 nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON):1.5 Ω(典型值)@VGS = 10V
- 100%雪崩测试
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