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WTM2302
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.6A
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- 描述
- WTM2302采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM2302
- 商品编号
- C2688211
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
UTC 03N60-CB是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用中。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 2.6A
- R D S (O N) < 80 m Ω(V G S = 2. 5 V 时)
- R D S (O N) < 56 m Ω(V G S = 4. 5 V 时)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理