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WTM2306
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
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- 描述
- WTM2306采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM2306
- 商品编号
- C2688214
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 3.6A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 73 mΩ
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 58 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理