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BSS84
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.18A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 ESD等级：HBM 2000V
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C2688218
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 29.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3pF |
商品特性
~~- 先进沟槽工艺技术-用于超低导通电阻的高密度单元设计-静电放电等级:人体模型2000V-SOT-23