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WTM3415
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷，且栅极电压低至 1.8V。该器件适合用作负载开关或 PWM 应用。它具有 ESD 防护功能。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM3415
- 商品编号
- C2688217
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
JSM100N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源极电压(VDS):−20 V,漏极电流(ID):−4 A
- 漏源导通电阻(RDS(ON):< 63 mΩ(VGS = −2.5 V 时) < 55 mΩ(VGS = −4.5 V 时)
- ESD等级:2500 V(HBM,人体模型)
- 高功率及大电流承载能力
- 无铅产品
- 表面贴装封装(SMD)
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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