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IRLR014NTRP-VB
N沟道,电流:18A,耐压:60V
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLR014NTRP-VB
- 商品编号
- C2680729
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.751克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V,6.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 660pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 初级侧开关
- 同步整流
- 直流/交流逆变器
- LED背光