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IXTP80N12T2-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块，如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。TO220；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IXTP80N12T2-VB
- 商品编号
- C2680734
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 665pF |
商品概述
FKBB3052是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 FKBB3052符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过电气自动分选（EAS）保证，具备全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%通过电气自动分选（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 极低的栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术