SN74CBT16811CDGGR

SN74CBT16811C是一款高速TTL兼容的FET总线开关，具有低导通电阻（ron），可实现最小传播延迟。SN74CBT16811C的A端口和B端口上的主动下冲保护电路通过检测下冲事件并确保开关保持在正确的关闭状态，提供高达-2V的下冲保护。该设备还预充电B端口到用户可选的偏置电压（BIASV），以最小化热插拔噪声。

SN74CBT16811C组织为两个12位总线开关，具有独立的输出使能（1OE, 2OE）输入。它可以作为两个12位总线开关使用，也可以作为一个24位总线开关使用。当OE为低时，相关的12位总线开关闭合，A端口连接到B端口，允许端口间的双向数据流。当OE为高时，相关的12位总线开关断开，在A端口和B端口之间存在高阻态。当OE为高或设备断电（Vcc=0 V）时，B端口通过相当于10 kΩ电阻器预充电至BIASV。

在将卡插入（或从）活动总线时，卡的输出电压可能接近GND。当连接器引脚接触时，卡的寄生电容试图将总线信号拉至GND，这可能会在活动总线上产生一个潜在的毛刺。通过使用预充电偏置电压（BIASV）等于活动总线上接收器输入阈值电压级别的总线开关，可以减少这种毛刺效应。这种方法可以确保由卡插入（或移除）产生的任何毛刺不会越过活动总线上接收器的输入阈值区域，从而最小化热插拔噪声的影响。

该设备完全支持使用Ioff特性的部分断电应用。Ioff特性确保在设备断电时不会有损坏性电流反向流过设备。设备在断电期间具有隔离功能。为了确保在上电或断电期间的高阻态，应通过一个上拉电阻将OE连接到Vcc；电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。