SN74LS670NSR

SN54LS670和SN74LS670是MSI 16位TTL寄存器堆，集成了相当于98个门的电路。寄存器堆组织为4个4位字，片上提供独立译码，用于对四个字位置进行写入或读取数据。这允许同时向一个位置写入和从另一个字位置读取。SN54LS670采用J或W封装，SN74LS670采用D或N封装；SN54LS670也可采用FK封装。NC表示无内部连接。四个数据输入用于提供待存储的4位字，字的位置由写地址输入A和B结合写使能信号确定。输入的数据应为原码形式:即如果希望输出得到高电平信号，则对应比特位的数据输入需施加高电平。锁存输入的设计使得仅当所有内部地址门输入都为高电平时才会接受新数据，满足该条件时，D输入的数据会传输到锁存器输出。当写使能输入G_W为高电平时，数据输入被禁止，其电平不会改变内部锁存器存储的信息；当读使能输入G_R为高电平时，数据输出被禁止并进入高阻态。独立地址线允许直接获取四个锁存器中任意一个存储的数据，四个独立译码门用于完成读字地址译码。当读地址结合读使能信号有效时，对应字会出现在四个输出端。这种数据输入寻址独立于数据读取寻址、配合独立读出线的设计，消除了恢复时间，允许同时读写，速度仅受写时间（典型值27纳秒）和读时间（典型值24纳秒）限制；寄存器堆为非破坏性读出，寻址时数据不会丢失。除读使能和写使能外，所有输入都做了缓冲，将驱动需求降低到一个Series 54LS/74LS标准负载，输入钳位二极管可最小化开关瞬变，简化系统设计。读地址功能采用高速双端与或非门，具备高灌电流、三态输出。最多可将128个该器件输出总线连接，将容量提升至512字；任意数量的该寄存器可并联，提供n位字长。SN54LS670适合在-55℃ 至 125℃温度范围工作；SN74LS670适合在0℃ 至 70℃温度范围工作。逻辑符号符合ANSI/IEEE Std. 91-1984和IEC Publication 617-12标准，所示引脚号对应D、J、N和W封装。

• 独立读写寻址允许同时进行读写操作
• 访问速度快，典型访问时间为20 ns
• 组织为4个4位字
• 可扩展至512个n位字
• 三态输出
• SN54LS170和SN74LS170与该器件结构相似，但为集电极开路输出

• 暂存器
• 处理器间缓冲存储
• 快速乘法设计中的比特存储