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QS3306AS1G8
高速CMOS双总线开关，带独立使能
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- 描述
- 提供一组两个高速低电阻（典型值3Ω）CMOS开关，可将输入连接到输出，无传播延迟，也不会产生额外的接地反弹噪声。使用单独的使能（OE）来打开开关。适用于信号和控制切换，因为该器件不会给系统增加噪声、接地反弹、传播延迟或显著的功耗。也可用于模拟开关应用，如视频。工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- QS3306AS1G8
- 商品编号
- C2674654
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.288克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 信号开关/编解码器/多路复用器 | |
| 类型 | - | |
| 电源极性 | 单电源 | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 输入数/输出数 | 2/2 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 传播延迟(tpd) | 0.25ns@5V,50pF | |
| 静态电流(Iq) | 3uA |
商品特性
- 增强型N沟道FET，无固有二极管到Vcc
- 非常低的导通电阻（典型值5Ω）
- 零传播延迟，零附加地弹噪声
- 快速开启/关闭时间
- 所有开关和控制输入上的欠压箝位二极管
- 提供SOIC封装
应用领域
- 线路控制
- 热插拔、热对接
- 电压转换（5V至3.3V）
- 节电
- 电容减少和隔离
- 时钟门控
- 总线隔离
- 信号抑制/消隐