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SN74CBT16800CDGGR实物图
  • SN74CBT16800CDGGR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SN74CBT16800CDGGR

SN74CBT16800CDGGR

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描述
SN74CBT16800C 具有预充电输出和 –2V 下冲保护的 5V、1:1 (SPST)、20 通道 FET 总线开关
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
SN74CBT16800CDGGR
商品编号
C2674584
商品封装
TSSOP-48-6.1mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录信号开关/编解码器/多路复用器
类型-
电源极性单电源
属性参数值
工作电压4.5V~5.5V
拉电流(IOH)-
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

SN74CBT16800C 是一种高速 TTL 兼容的 FET 总线开关,具有低导通电阻 (ron),可实现最小的传播延迟。SN74CBT16800C 的 A 端口和 B 端口上的主动下冲保护电路通过检测下冲事件并确保开关保持在适当的关闭状态,提供高达 -2 V 的下冲保护。该设备还预充电 B 端口到用户可选择的偏置电压 (BIASV),以最小化实时插入噪声。

SN74CBT16800C 组织为两个 10 位总线开关,具有独立的输出使能 (1OE, 2OE) 输入。它可以作为两个 10 位总线开关使用,也可以作为一个 20 位总线开关使用。当 OE 为低时,相应的 10 位总线开关闭合,A 端口连接到 B 端口,允许端口之间的双向数据流。当 OE 为高时,相应的 10 位总线开关断开,在 A 端口和 B 端口之间存在高阻态。当 OE 为高或设备断电 (VCC = 0 V) 时,B 端口通过相当于 10 kΩ 电阻器预充电到 BIASV。

在将卡插入(或从)活动总线时,卡的输出电压可能接近 GND。当连接器引脚接触时,卡的寄生电容试图将总线信号拉至 GND,从而在活动总线上产生可能的毛刺。通过使用预充电偏置电压 (BIASV) 等于活动总线上接收器输入阈值电压水平的总线开关,可以减少这种毛刺效应。这种方法可以确保由插入(或移除)卡产生的任何毛刺不会穿过活动总线上接收器的输入阈值区域,从而最小化实时插入噪声的影响。

该设备完全适用于使用 Ioff 的部分断电应用。Ioff 功能确保在设备断电时不会有损坏电流反向流过设备。设备在断电时具有隔离功能。

为了确保在上电或断电期间的高阻态,应通过一个上拉电阻将 OE 连接到 VCC;电阻的最小值由驱动器的吸电流能力决定。

商品特性

  • 属于德州仪器 WidebusTM 系列
  • A 和 B 端口的欠压保护可达 -2 V
  • B 端口输出通过偏置电压(BIASV)预充电,以在带电插入和热插拔期间最小化信号失真
  • 支持 PCI 热插拔
  • 双向数据流,传播延迟接近零
  • 低导通电阻(ron)
  • 特性(ron = 3 Ω 典型值)
  • 低输入/输出电容可减少负载和信号失真(Cio(OFF) = 5.5 pF 典型值)
  • 数据和控制输入提供欠压箝位二极管
  • 低功耗(lcc = 3 μA 最大值)
  • Vcc 工作范围从 4 V 到 5.5 V
  • 数据 I/O 支持 0 至 5 V 信号电平(0.8 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V、5 V)
  • 控制输入可以由 TTL 或 5 V/3.3 V CMOS 输出驱动
  • loff 支持部分掉电模式操作
  • 锁存性能超过每 JESD78,II 类 100 mA
  • ESD 性能测试符合 JESD22 - 2000 V 人体模型(A114-B,II 类)1000 V 带电设备模型(C101)
  • 支持数字和模拟应用:PCI 接口、内存交错、总线隔离、低失真信号门控

应用领域

  • PCI 接口
  • 内存交错
  • 总线隔离
  • 低失真信号门控

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(2000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2000个/圆盘

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