SN74CBT16210CDGVR

SN74CBT16210C是一款高速TTL兼容的FET总线开关，具有低导通电阻（ron），可实现最小的传播延迟。SN74CBT16210C的A端口和B端口上的主动下冲保护电路通过检测下冲事件并确保开关保持在适当的关断状态，提供高达-2 V的下冲保护。

SN74CBT16210C组织为两个10位总线开关，具有独立的输出使能（1OE, 2OE）输入。它可以作为两个10位总线开关或一个20位总线开关使用。当OE为低时，相关的10位总线开关导通，A端口连接到B端口，允许端口间双向数据流动。当OE为高时，相关的10位总线开关关断，A端口和B端口之间存在高阻态。

该器件完全适用于使用Ioff的部分掉电应用。Ioff功能确保在掉电时不会有损坏电流反向流过器件。该器件在掉电时具有隔离特性。

为了确保在上电或掉电期间处于高阻态，OE应通过一个上拉电阻连接到VCC；电阻的最小值由驱动器的吸电流能力决定。

• 德州仪器Widebus系列成员
• A端口和B端口的欠压保护，隔离电压可达-2V
• 双向数据流，几乎零传播延迟
• 低导通电阻（ron）
• 导通电阻特性（ron = 3 Ω 典型值）
• 低输入/输出电容，最小化负载和信号失真（Cio(OFF) = 5.5 pF 典型值）
• 数据和控制输入提供欠压箝位二极管
• 低功耗（Icc = 3 μA 最大值）
• Vcc工作范围从4 V到5.5 V
• 数据I/O支持0至5 V信号电平（0.8 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V、5 V）
• 控制输入可以由TTL或5 V/3.3 V CMOS输出驱动
• Loff支持部分断电模式操作
• 锁存性能超过每JESD78，II类100 mA
• ESD性能测试符合JESD22 - 2000 V人体模型（A114-B，II类），1000 V充电设备模型（C101）
• 支持数字和模拟应用：PCI接口、内存交错、总线隔离、低失真信号门控

• PCI 接口
• 内存交错
• 总线隔离
• 低失真信号门控