SN74CBTLV3857DWR

描述: SN74CBTLV3857 具有内部下拉电阻的 3.3V、1:1 (SPST)、10 通道 FET 总线开关
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: SN74CBTLV3857DWR
商品编号: C2674592
商品封装: SOIC-24-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

这是一款10位FET总线开关，工作VCC范围为3V至3.6V，输出使能输入电平兼容SSTL_2。当输出使能为低电平时，总线开关导通，A端口与B端口连通；当输出使能为高电平时，开关断开，两个端口之间呈高阻态。该器件导通态电阻可替代SSTL_2数据通路中的串联终端电阻，支持部分掉电模式应用，可防止器件掉电时损坏性电流回流，断电状态下具备隔离能力。

商品特性

使能信号兼容SSTL_2
直通架构可优化PCB布局布线
导通态电阻设计可省去DDR SDRAM的串联电阻，可替代SSTL_2数据通路中的串联终端电阻
B端口内置接地10kΩ下拉电阻
输出使能输入端内置50kΩ上拉电阻
数据输入输出端口支持轨到轨切换
Ioff功能支持部分掉电模式操作
闩锁性能符合JESD 78 II类规范，指标超过100mA
最大电源电压范围为-0.5V至4.6V
输出使能端最大输入电压范围为-0.5V至VCC+0.5V，其余端口最大输入电压范围为-0.5V至4.6V
连续沟道电流额定值为48mA
V_I/O小于0时，输入钳位电流额定值为-50mA
不同封装热阻抗参数：DBQ封装61℃/W，DGV封装86℃/W，DW封装46℃/W，PW封装88℃/W
存储温度范围为-65℃至150℃

应用领域

适用于200Mbit/s双倍数据速率DDR SDRAM应用

	属性	参数值
	商品目录	信号开关/编解码器/多路复用器
	类型	-
	电源极性	单电源
	工作电压	3V~3.6V
	输入数/输出数	-
	灌电流(IOL)	-

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	传播延迟(tpd)	0.25ns@3.3V
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	断电保护；输出使能高阻
	系列	74CBTLV