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STG3820BJR
STG3820BJR
- 描述
- 低压高带宽四路DPDT开关
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STG3820BJR
- 商品编号
- C2673141
- 商品封装
- FlipChip30
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 8 | |
| 工作电压 | 1.65V~4.3V | |
| 导通时间(ton) | 13ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 5.4Ω | |
| 关闭时间(toff) | 11ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 带宽 | 800MHz | |
| 传播延迟(tpd) | 130ps |
商品概述
STG3820器件是一款高速CMOS低压四路模拟双刀双掷（DPDT）开关或2:1复用器/解复用器开关，采用硅栅C²MOS技术制造。它的工作电压范围为1.65 V至4.3 V，非常适合便携式应用。 提供SELm - n输入来控制开关。当SELm - n输入为高电平时，开关nS1和mS1导通（分别连接到公共端口Dn和Dm）；当SELm - n输入为低电平时，开关nS1和mS1断开（两端口之间呈高阻抗状态）。当SELm - n输入为低电平时，开关nS2和mS2导通（分别连接到公共端口Dn和Dm）；当SELm - n输入为高电平时，开关nS2和mS2断开（两端口之间呈高阻抗状态）。 STG3820器件集成了故障安全功能，在器件断电时可承受过压情况。其他关键特性包括快速开关速度、先断后通延迟时间和超低功耗。所有输入和输出均配备了防静电放电保护电路，使其具备ESD抗扰性和瞬态过电压保护能力。
商品特性
- 超低功耗：在Tₐ = 85 ℃时，I₍CC₎ = 1 μA（最大值）
- 低“导通”电阻：在V₍CC₎ = 4.3 V、Tₐ = 25 ℃时，R₀ₙ = 5.4 Ω；在V₍CC₎ = 3.0 V、Tₐ = 25 ℃时，R₀ₙ = 6.6 Ω
- 宽工作电压范围：V₍CC₎(OPR) = 1.65 V至4.3 V
- 在V₍CC₎ = 2.3 V至3.0 V时，数字控制输入具有4.3 V耐压和1.8 V兼容阈值
- 4个选择引脚，每个引脚控制2个开关
- 所有通道的典型带宽（-3 dB）为800 MHz
- 符合USB（2.0）高速（480 Mbps）信号切换标准
- 集成故障安全功能
- 闩锁性能超过JESD 78 II类标准的100 mA
- ESD性能超过JESD22 2000 - V人体模型（A114 - A）
应用领域
- 手机