STG4160BJR
STG4160BJR
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- 描述
- 低压0.5 Ohm单路SPDT开关,具有先开后合特性和15 kV ESD保护
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STG4160BJR
- 商品编号
- C2673504
- 商品封装
- FlipChip-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 1.65V~4.8V | |
| 导通时间(ton) | 38ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 400mΩ | |
| 关闭时间(toff) | 38ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 带宽 | 50MHz | |
| 传播延迟(tpd) | 120ps |
商品概述
STG4160器件是一款高速CMOS低压单路模拟单刀双掷(SPDT)开关或2:1复用器/解复用器开关,采用硅栅C²MOS技术制造。其设计工作电压范围为1.65至4.8 V,非常适合便携式应用。在VCC = 4.3 V时,它具有低导通电阻(典型值为0.40 Ω)。提供SEL输入以控制开关。 当SEL输入为高电平时,开关S1导通(连接到公共端口D);当SEL为低电平时,开关S1断开(两端口之间呈高阻抗状态)。当SEL输入为低电平时,开关S2导通(连接到公共端口D);当SEL为高电平时,开关S2断开(两端口之间呈高阻抗状态)。 其他关键特性包括快速开关速度、先断后通延迟时间和超低功耗。所有输入和输出均配备静电放电保护电路,使其具备ESD抗扰性和瞬态过电压保护能力。
商品特性
- 宽工作电压范围:VCC(工作电压) = 1.65至4.8 V
- 低功耗:在TA = 85 ℃时,ICC = 0.2 μA(最大值)
- 低导通电阻:
- 在VCC = 2.25 V、TA = 25 ℃时,RON = 0.75 Ω
- 在VCC = 3.0 V、TA = 25 ℃时,RON = 0.50 Ω
- 在VCC = 4.3 V、TA = 25 ℃时,RON = 0.40 Ω
- 开关和控制引脚采用独立电源电压
- 闩锁性能超过JESD 78 II类标准的100 mA
- 公共引脚(D引脚)的ESD性能测试:
- IEC 61000 - 4 - 2 ESD接触放电15 kV
- HBM JESD22 A114 - B II类标准8 kV
- S1和S2引脚的ESD性能测试:IEC 61000 - 4 - 2 ESD接触放电8 kV
- 所有其他引脚的ESD性能测试:
- HBM(JESD22 A114 - B II类标准)4 kV
- 机器模型(JESD22 A115 - A)400 V
- 带电器件模型(JESD22 C101)1500 V
应用领域
- 移动电话
- Flip Chip 8
优惠活动
购买数量
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起订量:1 个5000个/圆盘
总价金额:
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