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DG418DY-T1-E3

精密CMOS模拟开关

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描述: DG418是单刀双掷(SPDT)配置的高电压、低功耗、高速度、低导通电阻和小尺寸的模拟开关。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: DG418DY-T1-E3
商品编号: C2673514
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

DG417、DG418、DG419 单片 CMOS 模拟开关旨在实现模拟信号的高性能切换。DG417 系列兼具低功耗、低泄漏、高速、低导通电阻和小尺寸的特点，非常适合需要高性能且能有效利用电路板空间的便携式和电池供电工业应用。为实现高电压额定值和卓越的开关性能，DG417 系列采用高压硅栅（HVSG）工艺制造。对于采用单刀双掷（SPDT）配置的 DG419，可保证先断后通。外延层可防止闩锁效应。每个开关在导通时双向导通性能相同，在关断时可阻断至电源电压电平。如真值表所示，DG417 和 DG418 对相反的控制逻辑电平做出响应。

商品特性

±15 V 模拟信号范围导通电阻 - RDS(on)：20 Ω
快速开关动作 - tan：100 ns
超低功耗要求 - PD：35 nW
与 TTL 和 CMOS 兼容 MiniDIP 和 SOIC 封装
最大电源额定值 44 V
符合 RoHS 指令 2002/95/EC

应用领域

精密测试设备
精密仪器仪表
电池供电系统
采样保持电路
硬盘驱动器
开关信号电源模拟开关
微功耗 UPS 转换开关
可编程增益放大器
砷化镓场效应管驱动器

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	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	2:1
	通道数	1
	工作电压	-15V~15V；12V

	属性	参数值
	导通时间(ton)	100ns
	导通电阻(Ron)	20Ω
	关闭时间(toff)	60ns
	工作温度	-40℃~+85℃