DG2536DN-T1-E4

DG2535/DG2536是一款亚1 Ω（在2.7 V时为0.35 Ω）的双路单刀双掷（SPDT）模拟开关，专为低电压应用而设计。DG2535/DG2536的导通电阻匹配度（在2.7 V时小于0.05 Ω）和平坦度（在2.7 V时小于0.2 Ω）在整个电压范围内都有保证。此外，低逻辑阈值使DG2535/DG2536成为低电压DSP控制信号的理想接口。 DG2535/DG2536具有快速开关速度，并保证先断后通。在导通状态下，所有开关元件在两个方向上的导通性能相同。在100 kHz时，关断隔离度和串扰为 - 69 dB。 DG2535/DG2536采用高密度低电压CMOS工艺制造。内置了外延层以防止闩锁效应。DG2535/DG2536还具备2000 V静电放电（ESD）保护功能。 DG2535/DG2536采用节省空间的MSOP - 10和DFN - 10无铅（Pb）封装，是适用于电池供电应用的高性能、低导通电阻（rON）开关。在器件/封装内部或外部引脚的制造过程中均不使用铅（Pb）。对于采用DFN封装制造的模拟开关产品，使用无铅（Pb）的“ - E3/E4”后缀作为标识。任何时候购买的无铅（Pb）DFN产品，其器件引脚要么是镍钯金镀层，要么是100%雾锡镀层。不同的无铅（Pb）材料可以互换，并且符合所有JEDEC回流焊和湿敏等级（MSL）标准。

• 低电压工作
• 低导通电阻 - rON：在2.7 V时为0.35 Ω
• 在2.7 V、100 kHz时关断隔离反向隔离比（OIRR）为 - 69 dB
• MSOP - 10和DFN - 10封装
• ESD保护 >2000 V
• 闩锁电流 >300 mA（JESD 78）

• 手机扬声器和耳机切换
• 音频和视频信号路由
• PCMCIA卡
• 电池供电系统中的继电器替换