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G3R20MT12K
G3R20MT12K
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- 描述
- 特性：G3R™ (第三代) 技术。 低导通电阻RDS(ON)温度系数。 较低的栅极电荷QG和较小的内栅极电阻RGS(INT)。应用：太阳能逆变器
- 品牌名称
- Navitas(纳微)
- 商品型号
- G3R20MT12K
- 商品编号
- C25836779
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 389W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.814nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 177pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ |
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