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G3R75MT12J
G3R75MT12J
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- 描述
- 特性：G3R™（第三代）技术。RDS(ON)的低温系数。较低的QG和较小的RGS(INT)。低器件电容（COSS、CRSS）。LoRing™-电磁优化设计。卓越的性价比指数。应用：太阳能逆变器。电动汽车/混合动力汽车充电
- 品牌名称
- Navitas(纳微)
- 商品型号
- G3R75MT12J
- 商品编号
- C25836783
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 耗散功率(Pd) | 196W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.545nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 47pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ |