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G3R450MT17J
碳化硅N沟道增强型MOSFET，具备G3R技术、低电容和低导通损耗等特性，适用于太阳能逆变器和UPS等
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- 品牌名称
- Navitas(纳微)
- 商品型号
- G3R450MT17J
- 商品编号
- C25836791
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 321pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ |