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PE42359SCAA-Z

10MHz至3GHzSPDTUltraCMOS射频开关

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描述: PE42359UltraCMOS射频开关设计用于10MHz至3GHz的广泛应用。该反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑，具有单引脚或互补CMOS逻辑控制输入，支持单引脚或互补控制模式。使用+3伏电源电压时，可实现+33.5dBm的典型输入1dB压缩点。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准，并已获得AEC-Q100Grade2认证。
品牌名称: pSemi(游隼半导体)
商品型号: PE42359SCAA-Z
商品编号: C2654744
商品封装: SC-70-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品概述

PE42359 UltraCMOS射频开关旨在覆盖从10 MHz到3 GHz的广泛应用范围。这款反射式开关将片上CMOS控制逻辑与低电压CMOS兼容控制接口集成在一起，可使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称+3伏电源电压时，典型输入1 dB压缩点可达+33.5 dBm。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准，并获得了AEC-Q100 2级认证。 PE42359采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

商品特性

获得AEC-Q100 2级认证
支持高达+105℃的工作温度
单引脚或互补CMOS逻辑控制输入
低插入损耗
在1000 MHz时为0.35 dB
在2000 MHz时为0.50 dB
在1000 MHz时隔离度为30 dB
高ESD耐受性，HBM为2 kV
典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm
最小电源电压为1.8 V
小型SC-70封装

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	10MHz~3GHz
	隔离度	30dB

	属性	参数值
	插入损耗	0.35dB
	工作电压	1.8V~3.3V
	工作温度	-40℃~+105℃