温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

BGSX212MA18E6327

BGSX212MA18载波聚合多端口射频开关

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: BGSX212MA18是一款适用于载波聚合应用的多端口射频开关，采用Infineon的专利MOS技术制造，具有高性能和小尺寸的特点。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BGSX212MA18E6327
商品编号: C2654756
商品封装: UFQFN-18(2x2.4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品概述

BGSX212MA18射频CMOS开关专为LTE载波聚合应用而设计。这款双刀12掷（DP12T）开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。此外，两个端口具备交叉功能，为载波聚合应用提供了更高的灵活性。该开关通过MIPI RFFE控制器进行控制。片上控制器支持1.1至1.95 V的电源电压。该开关具有直接连接电池的功能和无直流的射频端口。与砷化镓（GaAs）技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部隔直电容。BGSX212MA18射频开关兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。该器件尺寸非常小，仅为2.0x2.4 mm²，最大厚度为0.6 mm。

商品特性

具备高达27 dBm功率处理能力的射频CMOS双刀12掷（DP12T）分集开关
行业首款通过两个端口的交叉开关功能实现的灵活载波聚合开关
通过交叉开关功能实现单刀6掷（SP6T）/单刀6掷（SP6T）、单刀5掷（SP5T）/单刀7掷（SP7T）和单刀7掷（SP7T）/单刀5掷（SP5T）的器件配置
适用于LTE载波聚合应用
超低插入损耗和低谐波产生
覆盖0.1至3.8 GHz
高端口间隔离度
若射频线路上未施加直流，则无需去耦电容
集成工作在1.1至1.95 V电压范围的MIPI RFFE接口
软件可编程的MIPI RFFE USID
无引脚、无卤的ATSLP - 18封装，横向尺寸为2.0 mmx2.4 mm，厚度为0.6 mm
无需电源隔离
高电磁干扰（EMI）鲁棒性
符合RoHS和WEEE标准的封装

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(4500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交0单

	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	-
	隔离度	48dB

	属性	参数值
	插入损耗	1.45dB
	工作电压	1.1V~3.6V
	工作温度	-30℃~+85℃