BGSX210MA18E6327

BGSX210MA18射频CMOS开关专为LTE载波聚合应用而设计。这款双刀十掷（DP10T）开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。此外，两个端口具备交叉功能，为载波聚合应用提供了更高的灵活性。 该开关通过MIPI RFFE控制器进行控制。片上控制器支持1.1至1.95 V的电源电压。该开关具有直接连接电池的功能和无直流的射频端口。与砷化镓（GaAs）技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流阻隔电容。BGSX210MA18射频开关兼具砷化镓的性能，以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。该器件尺寸极小，仅为2.0×2.4 mm²，最大厚度为0.6 mm。

• 具备高达27 dBm功率处理能力的射频CMOS DP10T分集开关
• 业内首款通过两个端口的交叉开关功能实现的灵活载波聚合开关
• 通过交叉开关功能实现单刀五掷（SP5T）/单刀五掷（SP5T）、单刀四掷（SP4T）/单刀六掷（SP6T）和单刀六掷（SP6T）/单刀四掷（SP4T）的器件配置
• 适用于LTE载波聚合应用
• 超低插入损耗和低谐波产生
• 覆盖0.1至3.8 GHz频段
• 高端口间隔离度
• 若射频线路上未施加直流，则无需去耦电容
• 集成工作在1.1至1.95 V电压范围的MIPI RFFE接口
• 软件可编程的MIPI RFFE USID
• 无引脚、无卤封装ATSLP - 18，横向尺寸为2.0 mm×2.4 mm，厚度为0.6 mm
• 无需电源阻隔
• 高电磁干扰（EMI）鲁棒性
• 符合RoHS和WEEE标准的封装