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PE42522B-X

超宽带SPDT射频开关，9kHz-26.5GHz

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描述: PE42522是一款增强型HaRPTM技术吸收式SPDT射频开关，支持广泛的频率性能，并具有卓越的稳定时间，适用于许多宽带无线应用。如果RF端口上没有直流电压，则不需要阻塞电容器。
品牌名称: pSemi(游隼半导体)
商品型号: PE42522B-X
商品编号: C2654729
商品封装: LGA-29(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品概述

PE42522是一款采用HaRP™技术增强的吸收式单刀双掷（SPDT）射频开关，支持9 kHz至26.5 GHz的宽频率范围。这款宽带通用开关具备出色的隔离度、高线性性能和极短的稳定时间，使其非常适合众多宽带无线应用。若射频端口无直流电压，则无需隔直电容。 PE42522采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。 pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

商品特性

支持9 kHz至26.5 GHz的宽频率范围
高端口间隔离度：3 GHz时为63 dB，7.5 GHz时为58 dB，13.5 GHz时为39 dB，20 GHz时为28 dB，26.5 GHz时为22 dB
采用HaRP™技术增强
快速稳定时间
无栅极和相位滞后
插入损耗和相位无漂移
通过外部匹配改善高频插入损耗和回波损耗性能
所有引脚的人体模型（HBM）静电放电（ESD）性能高达3.0 kV
封装形式：29引脚4×4 mm LGA

应用领域

测试与测量
微波回传
雷达

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	9kHz~26.5GHz
	隔离度	73dB

	属性	参数值
	插入损耗	6.95dB
	工作电压	2.3V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃