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PE4152A-Z实物图
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PE4152A-Z

PE4152A-Z

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描述
PE4152是一款高线性度四路金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)混频器,集成了本地振荡器(LO)放大器。LO放大器允许LO输入驱动电平小于0 dBm,产生与使用15 dBm LO驱动的四路MOSFET阵列相似的三阶交调点(IIP3)值。
商品型号
PE4152A-Z
商品编号
C2654496
商品封装
QFN-20-EP(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录RF混频器
工作电压2.9V~3.1V
属性参数值
工作电流16mA
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

PE4152是一款高线性度的四通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)混频器,集成了本地振荡器(LO)放大器。该LO放大器允许LO输入驱动电平低于0 dBm,以产生与由15 dBm LO驱动的四通道MOSFET阵列相似的三阶截点(IIP3)值。PE4152在射频(RF)和中频(IF)端口上采用差分信号工作,并且集成的LO缓冲放大器驱动混频器核心。它可以作为上变频器或下变频器使用。

PE4152还提供了一个集成的LO放大器旁路选项,为低功耗或增加线性度操作提供了额外的灵活性。旁路的LO放大器相对于启用模式而言,提供了更优的LO到RF和LO到IF隔离水平。

PE4152采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造,这是一种专利的绝缘体上硅(SOI)技术,在蓝宝石基板上的变体,它提供了砷化镓(GaAs)的性能,同时具有传统CMOS的成本效益和集成度。

应用领域

  • 地面移动无线电(LMR)
  • 手持无线电
  • 移动无线电
  • 蜂窝基础设施
  • 机顶盒(STB)/ CATV系统

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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