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HMC525ALC4TR-R5
GaAs MMIC I/Q混频器4 - 8.5 GHz
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- 描述
- 紧凑型砷化镓 (GaAs) 混频器，具有两个标准双平衡混频单元和一个90°混合器，采用24引脚无引线陶瓷芯片载体 (LCC) 封装。该设备可以用作图像抑制混频器或单边带 (SSB) 上变频器。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC525ALC4TR-R5
- 商品编号
- C2654516
- 商品封装
- QFN-24-EP(3.9x3.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| 增益/损耗 | 8dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 噪声系数 | 8dB | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HMC525ALC4是一款紧凑型砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）正交（I/Q）混频器，采用24引脚、符合RoHS标准的陶瓷无引脚芯片载体（LCC）封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带（SSB）上变频器。该混频器采用两个标准双平衡混频单元和一个采用GaAs金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造的90°混合器。与混合式镜像抑制混频器和单边带上变频器组件相比，HMC525ALC4体积小很多。HMC525ALC4无需引线键合，可采用表面贴装制造技术。
商品特性
- 无源：无需直流偏置
- 转换损耗：8 dB（典型值）
- 输入三阶交调截点（IP3）：20 dBm（典型值）
- 本振（LO）到射频（RF）隔离度：47 dB（典型值）
- 中频（IF）频率范围：直流至3.5 GHz
- 符合RoHS标准，24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装
应用领域
- 微波和甚小口径终端无线电设备
- 测试设备
- 点对点无线电设备
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