- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SN74S1053DWR
16位肖特基势垒二极管总线终端阵列
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- 描述
- 该肖特基势垒二极管总线终端阵列旨在减少存储总线上的反射噪声。该器件由一个16位高速肖特基二极管阵列组成，适用于钳位到VCC和/或GND。工作温度范围为0°C至70°C。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- SN74S1053DWR
- 商品编号
- C2653068
- 商品封装
- SOIC-20-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V@50mA；950mV@18mA；1.05V@18mA；1.2V@50mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 50mA | |
| 反向电流(Ir) | 5uA@7V |
商品概述
本产品是肖特基势垒二极管总线端接阵列，型号为SN74S1053，设计用于降低存储总线线路的反射噪声，由16位高速肖特基二极管阵列构成，可钳位至VCC和/或GND。
商品特性
- 设计用于降低反射噪声
- 16位阵列结构，适配面向总线的系统
- 封装可选塑料小外形封装、标准塑料300密耳双列直插封装
- 额定工作自由空气温度范围为0℃~70℃，存储温度范围为-65℃~150℃
- 稳态反向电压VR为7V
- 任意D端连续正向电流IF为50mA，所有GND或VCC端总连续正向电流为170mA
- 任意D端重复峰值正向电流IFRM为200mA，所有GND或VCC端总重复峰值正向电流为1.2A，该参数适用条件为脉冲宽度tW ≤100μs，占空比≤20%
- 25℃及以下自由空气中连续总功耗为625mW；环境温度高于25℃时，功耗线性降额，降额速率为5mW/℃
- 相比电阻端接方案，不存在大幅增加功耗的问题，不会造成输出高电平劣化、抗干扰能力下降，不会增加传输延迟，不会降低驱动器件的输出驱动能力
应用领域
- 用于抑制存储器件输入端、时钟器件时钟线路上的负瞬态，避免器件出现工作异常，适用存储器件包括DRAM、SRAM、EPROM等
- 用于抑制传输线反射、串扰、开关噪声引发的负瞬态
- 可放置在传输线末端、主传输线分支长抽头末端，也可用于抑制传输线中间不连续位置产生的负瞬态
- SN74S1053DBR
- SN74S1053NSR
- SN74LVCE161284DLR
- SN74ACT1073NSR
- CLVC1GX04MDRLREP
- SN74F1016DWR
- SN74SSTVF16859G4R
- SN74LV161284DLR
- SN74LVTH182502APMR
- SN74LVTH182512DGGR
- SN74SSTVF16859S8
- SN74SSQEB32882ZALR
- AMC1311BQDWVRQ1
- SN74LVTH18502APMR
- SN74ABTE16245DGGR
- SN74ABT18245ADLR
- SN74SSTEB32866ZWLR
- SN74TVC3306DCTR
- SN74SSTUB32866ZWLR
- 74SSTUB32868ZRHR
- SN74LVT8980AIDWREP