M74HC259YRM13TR

8位可寻址锁存器

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描述: 8位可寻址锁存器
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M74HC259YRM13TR
商品编号: C2653022
商品封装: SO-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

M74HC259是采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS 8位可寻址锁存器。该锁存器具有单个数据输入(D)、8个锁存输出(Q0-Q7)、3个地址输入(A、B、C)、公共使能输入(E)和公共清除输入。作为可寻址锁存器工作时，数据保持在D输入，数据要输入的锁存器地址保持在A、B、C输入。当使能为低电平时，数据流向地址输出；数据在使能脉冲的上升沿存储，所有未寻址的锁存器不受影响。使能为高电平时，器件被取消选择，所有锁存器保持之前状态，不受数据或地址输入变化影响。为避免向锁存器输入错误数据，地址线变化时使能应保持高电平（无效）。若使能保持高电平且清除为低电平，所有8个锁存器被清除为低状态；若使能为低电平，除寻址锁存器外的所有锁存器将被清除，寻址锁存器将跟随D输入，有效实现3到8线解码器。所有输入配备保护电路以防静电放电和瞬态过电压。

商品特性

高速：在VCC=6V时，典型传播延迟tPD=20ns
低功耗：在TA=25℃时，最大电源电流ICC=4μA
高抗噪性：最小输入高/低噪声容限V NIH和V NIL均为VCC的28%
对称输出阻抗：最小输出高电平电流|IOH|和输出低电平电流IOL均为4mA
均衡的传播延迟：tPLH近似等于tPHL
宽工作电压范围：VCC（工作）为2V至6V
引脚和功能与74系列259兼容
ESD性能：CDM为1kV，HBM为1.5kV，MM为200V

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	锁存器
	逻辑类型	可寻址锁存器
	输出类型	-
	工作电压	2V~6V
	通道数	8
	拉电流(IOH)	4mA
	灌电流(IOL)	4mA

	属性	参数值
	传播延迟(tpd)	15ns
	系列	74HC
	工作温度	-40℃~+125℃
	建立时间	9ns
	保持时间	5ns
	静态电流(Iq)	4uA