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HAOZ8S321UD4-03

单向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 这款Uni单向保护器件，采用四通道设计，每通道VRWM为3.3V，为电路提供精确的单向保护。4A峰值脉冲电流(IPP)处理能力，确保在电流尖峰下依然能有效保护。加之其超低的0.6pF典型电容值(CJ)，最大限度减少信号干扰，是高速信号传输和精密电路应用的理想伴侣。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HAOZ8S321UD4-03
商品编号: C25503713
商品封装: DFN2510-10L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0225克(g)

商品参数

商品概述

HAOZ8S321UD4 - 03是一款4通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间的阵列中集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为GND）与系统接地相连。正ESD电流通过ESD二极管和齐纳二极管导向接地，正ESD电压被钳位到齐纳电压。封装为DFN2510 - 10L。

商品特性

4通道ESD保护
提供符合IEC61000 - 4 - 2 4级标准的ESD保护
±15kV空气放电
±10kV接触放电
通道I/O到GND电容：最大0.55pF
通道I/O到I/O电容：最大0.6pF
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
优化封装，便于高速数据线PCB布局
符合RoHS标准且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	击穿电压(VBR)	5.6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	四路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.4pF；0.6pF