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M34E04-FMC9TG
4K位串行存在检测（SPD）EEPROM
- 描述
- DRAM模块的4 Kbit I2C/SMBus总线串行EEPROM和SPD（DDR4）
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M34E04-FMC9TG
- 商品编号
- C262923
- 商品封装
- DFN-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 4Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护功能；内置上电复位(POR)；软件写保护功能；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~3.6V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 工作电流 | 1mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
M34E04是一款512字节EEPROM设备，设计用于SMBus总线，工作电压范围为1.7V至3.6V，在2.2V至3.6V电压范围内最大传输率可达1MHz，工作环境温度范围为0℃至95℃。该设备包含4Kbit串行EEPROM，组织为两页各256字节（共512字节），每页由两个128字节块组成。它可选择性锁定任意或所有四个128字节块的数据，与上一代2Kbit设备M34E02协议兼容，页选择方法允许将M34E02等传统设备的命令应用于EEPROM的上下页。单独锁定128字节块可通过软件写保护机制结合SA0输入的高电压VHV实现，发送特定SMBus序列可保护块直到用另一个需要SA0输入VHV的SMBus序列反转保护，所有四个块的写保护可同时清除。
商品特性
- 兼容JEDEC EE1004规范的512字节Serial Presence Detect EEPROM
- 兼容SMBus串行接口，最高传输率可达1MHz
- 4Kbit EEPROM阵列，组织为两页各256字节，每页包含两个128字节块
- 每个128字节块具备软件数据保护功能
- 字节写入时间在5ms内，16字节页写入时间在5ms内
- 总线输入具备施密特触发器和噪声滤波器
- 单电源电压范围为1.7V至3.6V
- 工作温度范围为0℃至95℃
- 增强型ESD/闩锁保护
- 写入周期超过400万次
- 数据保留时间超过200年
- 采用RoHS合规且无卤素的8引脚超薄细间距无引线封装（ECOPACK2®）
应用领域
- 专为DRAM DIMM（双列直插内存模块）的Serial Presence Detect设计，用于存储DRAM模块配置信息（如访问速度、大小、组织）