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UT3N10G-AE3-R
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- UT3N10是一款N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻。它效率高且性价比极佳，通常可应用于商业和工业领域。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UT3N10G-AE3-R
- 商品编号
- C258267
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
UTC UT3N10是一款N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻。它效率高，性价比出色，通常可应用于商业和工业领域。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 3.0A条件下，RDS(ON) ≤ 0.165 Ω
- 在VGS = 4.5V、ID = 2.0A条件下，RDS(ON) ≤ 0.180 Ω
- 驱动要求简单
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