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UTT18P10G-TN3-R
P沟道功率MOSFET，具备高开关速度和成本效益
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UTT18P10G-TN3-R
- 商品编号
- C258025
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 590pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
UTC UTT18P10是一款P沟道功率MOSFET,采用UTC先进技术,可为客户提供高开关速度、成本效益和极低的导通电阻。它还能承受雪崩状态下的高能量。
商品特性
- 在VGS = -10V、ID = -18A条件下,RDS(ON) < 0.20 Ω
- 高开关速度