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1N65G-AA3-R
1个N沟道 耐压:650V 电流:1.2A
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- 描述
- UTC 1N65 是一款高压功率 MOSFET，其设计具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电源的高速开关应用、PWM 电机控制、高效 DC - DC 转换器和桥式电路。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 1N65G-AA3-R
- 商品编号
- C258269
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.256克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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