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4N60L-TF1-T
4A、600V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 4N60是一款高压功率MOSFET，其设计具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路等高速开关应用中。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N60L-TF1-T
- 商品编号
- C258270
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
UTC 4N60是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 2.2 A时,RDS(ON) < 2.5Ω
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力,高耐用性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥接电路
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