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4N60L-TF1-T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

4N60L-TF1-T

4A、600V N沟道功率MOSFET

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描述
UTC 4N60是一款高压功率MOSFET,其设计具备更优异的特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路等高速开关应用中。
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
4N60L-TF1-T
商品编号
C258270
商品封装
TO-220F1​
包装方式
管装
商品毛重
2.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
输入电容(Ciss)670pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

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