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RC3401A
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)Max@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC3401A
- 商品编号
- C22466043
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- VDS = -30V,ID = -4.2A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 70 mΩ
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 55 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理